Die chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) ist die Methode zur Abscheidung isolierender dünner Schichten. Bei diesem Verfahren wird ein Gas oder Dampf in eine Prozesskammer eingeleitet, wo er eine chemische Reaktion eingeht, die zur Abscheidung einer dünnen Materialschicht auf dem Substrat führt. Das Substrat wird häufig erhitzt, um den Prozess zu beschleunigen und die Qualität der gebildeten dünnen Schicht zu verbessern. CVD ist äußerst präzise und kontrollierbar und eignet sich daher für die Herstellung dünner Schichten mit spezifischen Merkmalen und Eigenschaften.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden verschiedene CVD-Verfahren wie plasmaunterstütztes CVD (PECVD), High-Density Plasma CVD (HDP-CVD) und Atomic Layer Deposition (ALD) eingesetzt, um kritische Isolierschichten herzustellen. Diese Schichten sind für die Isolierung und den Schutz der elektrischen Strukturen in den Geräten unerlässlich. Die Wahl der CVD-Technik hängt von den spezifischen Anforderungen an das Material und die herzustellende Bauelementestruktur ab.
Insgesamt ist CVD eine vielseitige und präzise Methode zur Abscheidung isolierender Dünnschichten, die für die Funktionalität und Leistung verschiedener elektronischer und optischer Geräte entscheidend sind.
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