Wissen Wie funktioniert die Plasmabeschichtung? Die 7 wichtigsten Schritte werden erklärt
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 3 Wochen

Wie funktioniert die Plasmabeschichtung? Die 7 wichtigsten Schritte werden erklärt

Die Plasmabeschichtung ist ein hochentwickeltes Verfahren zur Herstellung dünner Schichten auf verschiedenen Substraten.

Wie funktioniert die Plasmabeschichtung? Die 7 wichtigsten Schritte werden erklärt

Wie funktioniert die Plasmabeschichtung? Die 7 wichtigsten Schritte werden erklärt

1. Erzeugung des Plasmas

Das Plasma wird durch eine elektrische Entladung, normalerweise zwischen 100 und 300 eV, zwischen Elektroden erzeugt.

Diese Entladung erzeugt einen glühenden Mantel um das Substrat, der thermische Energie liefert, die chemische Reaktionen auslöst.

2. Chemische Reaktionen im Plasma

Vorläufergasmoleküle im Plasma stoßen mit hochenergetischen Elektronen zusammen.

Diese Reaktionen finden zunächst im Plasma statt, und dann gelangen die reaktiven Stoffe über den Gasstrom auf das Substrat.

3. Abscheidung auf dem Substrat

Auf dem Substrat angekommen, reagieren die reaktiven Stoffe und werden von der Oberfläche absorbiert, so dass sich Schichten bilden.

Die chemischen Nebenprodukte werden desorbiert und abgepumpt.

4. Kontrollierte Parameter

Die Abscheidungsrate und die Schichteigenschaften wie Dicke, Härte oder Brechungsindex können durch die Einstellung der Gasdurchflussraten und der Betriebstemperaturen gesteuert werden.

5. Arten der Plasmabeschichtung

Eine gängige Methode ist die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD), die bei niedrigen Drücken (<0,1 Torr) und relativ niedrigen Substrattemperaturen (Raumtemperatur bis 350 °C) arbeitet.

Bei der PECVD wird die Energie für die Abscheidungsreaktionen durch ein Plasma bereitgestellt, so dass keine hohen Substrattemperaturen erforderlich sind und die Belastung der Grenzfläche zwischen den Schichten minimiert wird, was die Haftfestigkeit erhöht.

6. Vorteile der PECVD

Im Vergleich zur konventionellen chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) bietet PECVD niedrigere Abscheidungstemperaturen, eine gute Konsistenz und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten.

7. Mechanismus der Abscheidung

Im Plasma zieht das negative elektrische Potenzial der Kathode positiv geladene Zielatome an.

Die energiereichen Kollisionen im Plasma bewirken, dass die Ionen mit ausreichender kinetischer Energie in das Target eindringen, um Moleküle abzulösen, die dann die Vakuumkammer durchqueren und das Substrat beschichten.

Dieses Verfahren ist äußerst vielseitig und kann verschiedene Materialien auf Objekte unterschiedlicher Größe und Form aufbringen, was es zu einer wertvollen Technik in der modernen Fertigung macht.

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