Wenn es um die Beschichtung von Materialien auf Substraten geht, werden häufig zwei Hauptverfahren diskutiert: CVD (chemische Gasphasenabscheidung) und PVD (physikalische Gasphasenabscheidung). Diese Verfahren weisen deutliche Unterschiede auf, die sich auf das Ergebnis der Beschichtung auswirken können.
4 Hauptunterschiede werden erklärt
1. Zustand des Beschichtungsmaterials
Bei CVD befindet sich das Beschichtungsmaterial in einem gasförmigen Zustand. Dies unterscheidet sich vom PVD-Verfahren, bei dem der Beschichtungswerkstoff zunächst in festem Zustand vorliegt.
2. Mechanismus der Abscheidung
Bei CVD findet eine chemische Reaktion auf der Oberfläche des Substrats statt. Dadurch unterscheidet es sich von PVD, bei dem in der Regel keine chemischen Reaktionen ablaufen.
3. Gleichmäßigkeit der Beschichtung
CVD führt zu einer diffusen und multidirektionalen Abscheidung. Das bedeutet, dass die Beschichtung gleichmäßiger auf unebene Oberflächen aufgetragen werden kann. Bei der PVD-Beschichtung hingegen handelt es sich um eine Abscheidung in Sichtrichtung, die an den Seiten und auf der Rückseite des beschichteten Substrats schlecht funktionieren kann.
4. Ressourcenverbrauch
CVD-Verfahren verbrauchen im Vergleich zu PVD tendenziell mehr Ressourcen. Dies ist auf die zusätzlichen Schritte bei der chemischen Reaktion und den fließenden gasförmigen Zustand des Beschichtungsmaterials zurückzuführen.
Sowohl CVD als auch PVD werden zur Herstellung dünner Schichten auf Substratmaterialien verwendet. Die Wahl zwischen beiden Verfahren hängt von Faktoren wie Kosten, Benutzerfreundlichkeit und den gewünschten Beschichtungsergebnissen für eine bestimmte Anwendung ab.
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