Die LPCVD-Polysiliziumabscheidung ist ein wichtiger Prozess in der Halbleiterherstellung.
Um die gewünschten Schichteigenschaften zu erreichen, ist es wichtig, den Temperaturbereich zu kennen.
5 wichtige Punkte, die man über die Temperatur von LPCVD-Polysilizium wissen sollte
1. Standard-Temperaturbereich
Der typische Temperaturbereich für die LPCVD-Polysiliziumabscheidung liegt zwischen 600 und 650 Grad Celsius.
2. Variabilität der Temperatur
LPCVD-Prozesse können bei Temperaturen von 425 Grad Celsius bis zu 900 Grad Celsius durchgeführt werden, je nach Anwendung und gewünschten Eigenschaften der Schicht.
3. Wachstumsrate
Die Wachstumsrate von Polysilizium bei der LPCVD liegt zwischen 10 und 20 nm pro Minute bei Temperaturen zwischen 600 und 650 Grad Celsius und Drücken zwischen 25 und 150 Pa.
4. Einfluss von Gasen
Die Verwendung verschiedener Gase wie Phosphin, Arsin oder Diboran kann die Wachstumsrate und die Eigenschaften der abgeschiedenen Polysiliziumschicht beeinflussen.
5. Eigenschaften des Films
LPCVD-Polysiliziumfilme haben einen höheren Wasserstoffgehalt und können im Vergleich zu Filmen, die mit anderen Verfahren wie PECVD abgeschieden werden, Pinholes enthalten.
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