Die Vakuumabscheidung ist ein Verfahren, bei dem Materialschichten Atom für Atom oder Molekül für Molekül in einer Niederdruck- oder Vakuumumgebung auf eine feste Oberfläche aufgebracht werden. Diese Methode ist in verschiedenen Industriezweigen von entscheidender Bedeutung, z. B. bei der Herstellung von Halbleitern, Solarzellen und Elektronik. Das Verfahren kann je nach Dampfquelle und gewünschter Anwendung verschiedene Techniken wie die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) und die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) umfassen.
Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD):
Beim PVD-Verfahren wird ein festes Material verdampft, in der Regel mit Hilfe von Hochenergiequellen wie Elektronenstrahlen oder Plasmen oder durch einfaches Erhitzen. Das verdampfte Material kondensiert dann auf einem Substrat und bildet eine dünne Schicht. Diese Methode ist vielseitig und kann für die Abscheidung einer Vielzahl von Materialien verwendet werden, darunter Metalle, Legierungen und Keramiken. PVD wird häufig zur Herstellung von Beschichtungen und Oberflächenbehandlungen sowie bei der Halbleiterherstellung eingesetzt.Chemische Gasphasenabscheidung (CVD):
Bei CVD wird eine chemische Dampfquelle verwendet. Bei diesem Verfahren werden die chemischen Ausgangsstoffe in einen Reaktor eingeleitet, wo sie chemische Reaktionen eingehen, um eine dünne Schicht auf dem Substrat abzuscheiden. CVD ist bekannt für seine Fähigkeit, qualitativ hochwertige, gleichmäßige und konforme Beschichtungen zu erzeugen, die für fortschrittliche Elektronik- und Nanotechnologieanwendungen unerlässlich sind.
Anwendungen und Vorteile:
Die Vakuumbeschichtung, insbesondere PVD und CVD, wird eingesetzt, um die Eigenschaften von Materialien zu verbessern, z. B. ihre optischen, leitfähigen und korrosionsbeständigen Eigenschaften. Die Möglichkeit, mehrere Schichten aus verschiedenen Materialien abzuscheiden, ermöglicht die Schaffung komplexer Strukturen, was für die Entwicklung fortschrittlicher Technologien wie Halbleiter und Nanogeräte von entscheidender Bedeutung ist.Details zum Verfahren:
